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BC618G概述

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 55 V 1 A 150MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS NPN DARL 55V 1A TO92

艾睿:
Trans Darlington NPN 55V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box

BC618G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 55 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 10000 @200mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 150MHz Min

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC618G

描述：达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

替代型号BC618G