BYW51G-200参数规格_中文资料_数据手册PDF

BYW51G-200概述

高效快速恢复整流二极管 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB

得捷:
DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK

贸泽:
整流器 2X10 Amp 200 Volt

艾睿:
Diode Switching 200V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

Win Source:
DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK

BYW51G-200中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 10.0 A

正向电压 850mV @8A

反向恢复时间 35 ns

正向电压Max 850mV @8A

正向电流Max 20 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BYW51G-200

型号： BYW51G-200

描述：高效快速恢复整流二极管 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

替代型号BYW51G-200

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BYW51G-200 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
BYW51G-200-TR 意法半导体	完全替代	BYW51G-200和BYW51G-200-TR的区别
STTH2002CG-TR 意法半导体	类似代替	BYW51G-200和STTH2002CG-TR的区别
STTH2002CG 意法半导体	类似代替	BYW51G-200和STTH2002CG的区别