BS107AG参数规格_中文资料_数据手册PDF

BS107AG概述

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts

N-Channel TO-92

250 mAMPS, 200 VOLTS

RDSon= 14 BS107 RDSon= 6.4 BS107A

Features

•AEC Qualified

•PPAP Capable

•Pb-Free Package is Available

.

得捷:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

贸泽:
MOSFET 200V 250mA N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A Automotive 3-Pin TO-92 Bulk

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; TO92

力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

BS107AG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 250 mA

漏源极电阻 6.40 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 250 mA

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BS107AG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

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