BS170ZL1G概述
小信号MOSFET 500毫安， 60伏特N沟道TO- 92 （ TO- 226 ） Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 TO−226
N-Channel 60V 500mA Ta 350mW Ta Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
BS170ZL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350mW Ta
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 60pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BS170ZL1G
型号： BS170ZL1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：小信号MOSFET 500毫安， 60伏特N沟道TO- 92 （ TO- 226 ） Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 TO−226