通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC859BLT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSVBC858BLT1G 安森美 | 完全替代 | BC859BLT3G和NSVBC858BLT1G的区别 |
BC859BLT1G 安森美 | 完全替代 | BC859BLT3G和BC859BLT1G的区别 |
BC858BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC859BLT3G和BC858BLT1G的区别 |