小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
通孔 N 通道 200 V 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92（TO-226）
得捷:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
贸泽:
MOSFET 200V 250mA N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A Automotive 3-Pin TO-92 Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bulk
力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
额定电压DC 200 V
额定电流 250 mA
漏源极电阻 14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 250 mA
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BS107G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002LT1G 安森美 | 功能相似 | BS107G和2N7002LT1G的区别 |
BSS123LT1G 安森美 | 功能相似 | BS107G和BSS123LT1G的区别 |
2N7002ET1G 安森美 | 功能相似 | BS107G和2N7002ET1G的区别 |