通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC850CLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC850CLT1G 安森美 | 完全替代 | BC850CLT1和BC850CLT1G的区别 |