高电压晶体管 High Voltage Transistors
Bipolar BJT Transistor PNP 250V 500mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 250V 0.5A TO92
艾睿:
Trans GP BJT PNP 250V 0.5A 830mW 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC -250 V
额定电流 -50.0 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BF423G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BF423ZL1G 安森美 | 完全替代 | BF423G和BF423ZL1G的区别 |
BF423 安森美 | 完全替代 | BF423G和BF423的区别 |
BF823 恩智浦 | 类似代替 | BF423G和BF823的区别 |