放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 50V 100mA 280MHz 350mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 50V 0.1A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 T/R
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 350 mW
增益频宽积 280 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 60 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC212BRL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC212B 安森美 | 完全替代 | BC212BRL1G和BC212B的区别 |
BC212BG 安森美 | 类似代替 | BC212BRL1G和BC212BG的区别 |
BC212BRL1 安森美 | 类似代替 | BC212BRL1G和BC212BRL1的区别 |