BJT NPN High Volt Power
Bipolar BJT Transistor NPN 450V 30A 250W Chassis Mount TO-3
得捷:
TRANS NPN 450V 30A TO3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tube
TME:
Transistor: bipolar, NPN; 450V; 30A; 250W; TO3
额定电压DC 450 V
额定电流 30.0 A
额定功率 250 W
极性 NPN
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 450 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-3
封装 TO-3
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUX98A ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STF826 意法半导体 | 功能相似 | BUX98A和STF826的区别 |
2N5881 美高森美 | 功能相似 | BUX98A和2N5881的区别 |
2N4913 美高森美 | 功能相似 | BUX98A和2N4913的区别 |