BC640G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC640G概述

高电流晶体管 High Current Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 500 mA 150MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box

BC640G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC640G

描述：高电流晶体管 High Current Transistors

替代型号BC640G