双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO
Collector-Base VoltageVCBO | -50V
\---|---
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO
Collector-Emitter VoltageVCEO | -45V
集电极连续输出电流IC
Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A
截止频率fT
Transtion FrequencyfT | 100MHZ
直流电流增益hFE
DC Current GainhFE | 220~475
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V
耗散功率Pc
Power Dissipation | 380MW/0.38W
描述与应用
Description & Applications | 双PNP
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额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 Dual P-Channel
耗散功率 380 mW
击穿电压集电极-发射极 -45.0 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC857BDW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC857BDW1T1G 安森美 | 类似代替 | BC857BDW1T1和BC857BDW1T1G的区别 |
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