通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 110~220
管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV
耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W
Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
描述与应用| 通用 NPN硅 特点 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：>4000 V ESD额定值 - 机器型号：> 400 V •这些器件是无铅，无卤素，无 BFR
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC847ALT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847ALT1G 安森美 | 类似代替 | BC847ALT1和BC847ALT1G的区别 |