通用晶体管 General Purpose Transistors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 通用NPN硅
额定电压DC 32.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead