高电流晶体管 High Current Transistors
- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 500 mA 150MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）
得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC640ZL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC640TA 安森美 | 类似代替 | BC640ZL1G和BC640TA的区别 |
BC640 Continental Device | 功能相似 | BC640ZL1G和BC640的区别 |