通用晶体管 General Purpose Transistors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 620mV/0.62V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors Features • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 通用 （PNP晶体管负电压和电流） 特点 •无铅包装是可用
额定电压DC 45.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCX19LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BCX19LT1G 安森美 | 完全替代 | BCX19LT1和BCX19LT1G的区别 |
BCX19 飞兆/仙童 | 功能相似 | BCX19LT1和BCX19的区别 |
BCX19,215 安世 | 功能相似 | BCX19LT1和BCX19,215的区别 |