BC449参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC449概述

高电压晶体管 High Voltage Transistors

Bipolar BJT Transistor NPN 100 V 300 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226

得捷:
TRANS NPN 100V 0.3A TO-92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 300mA 100V NPN

艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 0.3A 625mW 3-Pin TO-92 Box

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 0.3A 3-Pin TO-92 Bulk

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 100V 0.3A 3-Pin TO-92 Bulk

Win Source:
High Voltage Transistors

BC449中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 300 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 50 @2mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 7.87 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC449

型号： BC449

描述：高电压晶体管 High Voltage Transistors

替代型号BC449