BC327G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC327G概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 800mA 260MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 45V 0.8A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 1500mW 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk

BC327G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -800 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC327G

描述：放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

替代型号BC327G