放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
- 双极 BJT - 单 PNP 65 V 100 mA 280MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)
得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A TO92
艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC556BZL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC33725TA 安森美 | 类似代替 | BC556BZL1G和BC33725TA的区别 |
BC337-40 Diotec Semiconductor | 类似代替 | BC556BZL1G和BC337-40的区别 |
BC337-25 Diotec Semiconductor | 类似代替 | BC556BZL1G和BC337-25的区别 |