通用晶体管 General Purpose Transistors
- 双极 BJT - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 50V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC857CLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC857CLT1G 安森美 | 类似代替 | BC857CLT1和BC857CLT1G的区别 |
BC857CLT3G 安森美 | 类似代替 | BC857CLT1和BC857CLT3G的区别 |
BC857C-7-F 美台 | 功能相似 | BC857CLT1和BC857C-7-F的区别 |