BUV26

BUV26图片1
BUV26图片2
BUV26图片3
BUV26图片4
BUV26图片5
BUV26图片6
BUV26图片7
BUV26图片8
BUV26图片9
BUV26图片10
BUV26概述

中功率NPN硅晶体管 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单 NPN 90 V 10 A 85 W 通孔 TO-220


得捷:
TRANS NPN 90V 10A TO220


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power


艾睿:
Trans GP BJT NPN 90V 14A 85000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans GP BJT NPN 90V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


BUV26中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 90.0 V

额定电流 14.0 A

极性 NPN

耗散功率 85 W

击穿电压集电极-发射极 90 V

额定功率Max 85 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 85000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BUV26
型号: BUV26
描述:中功率NPN硅晶体管 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR
替代型号BUV26
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUV26

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

BUV26G

安森美

功能相似

BUV26和BUV26G的区别

BD136-10

飞兆/仙童

功能相似

BUV26和BD136-10的区别

2N6354

美高森美

功能相似

BUV26和2N6354的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台