BC808-40LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC808-40LT1G概述

通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 25V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23

BC808-40LT1G中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC808-40LT1G

描述：通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

替代型号BC808-40LT1G