BSZ0909NDXTMA1

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BSZ0909NDXTMA1概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 30 V, 0.0145 ohm, 10 V, 1.6 V

Summary of Features:

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Ultra-low Q g
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Symmetric half bridge in a small 3.0x3.0mm² package outline
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Exposed pads
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Logic level 4.5V rated
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RoHS compliant 6/6 full lead free

Benefits:

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Low switching losses
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High switching frequency operation
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Lowest parasitics
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Low operating temperature
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Low gate drive losses
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RoHS 6/6 lead free product 

Target Applications:

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Wireless power
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Multicopter
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Drives
BSZ0909NDXTMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0145 Ω

耗散功率 17 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 360pF @15VVds

额定功率Max 17 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-WISON-8

外形尺寸

封装 PG-WISON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSZ0909NDXTMA1
型号: BSZ0909NDXTMA1
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 30 V, 0.0145 ohm, 10 V, 1.6 V

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