BZX84C33-GS08

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BZX84C33-GS08概述

•硅平面功率齐纳二极管•小信号二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 31V \---|--- 平均Typ.| 33V 最大max.| 35V 误差Tolerance| 5% 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 80Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.05uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| • Silicon planar power Zener diodes • Small Signal Zener Diodes 描述与应用| •硅平面功率齐纳 •小信号二极管


BZX84C33-GS08中文资料参数规格
技术参数

额定电流 2.00 A

击穿电压 35.0 V

耗散功率 300 mW

稳压值 33 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZX84C33-GS08
型号: BZX84C33-GS08
制造商: VISHAY 威世
描述:•硅平面功率齐纳二极管•小信号二极管

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