BSS123-7-F

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BSS123-7-F概述

三极管

三极管


得捷:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3


立创商城:
N沟道 100V 170mA


贸泽:
MOSFET 100V 360mW


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the BSS123-7-F power MOSFET. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes tmos technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 1.4 V


儒卓力:
**N-CH MOS-FET 0,17A 100V SOT23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3


BSS123-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 170 mA

额定功率 0.3 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 1.4 V

输入电容 60 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 170 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 300 mW

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

重量 0.0001279130568 kg

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BSS123-7-F引脚图与封装图
BSS123-7-F引脚图
BSS123-7-F封装图
BSS123-7-F封装焊盘图
在线购买BSS123-7-F
型号: BSS123-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:三极管
替代型号BSS123-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSS123-7-F

Diodes 美台

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