BS870

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BS870中文资料参数规格
技术参数

额定电流 250 mA

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 8.30 mW

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 250 mA

上升时间 9.00 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BS870
型号: BS870
制造商: Diodes 美台
描述:DMOS晶体管( N沟道) DMOS Transistors N-Channel
替代型号BS870
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