N-沟道增强型MOSFET低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏•铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色”设备（附注1及2）
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 250mA/0.25A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device Notes 1 & 2 描述与应用| N-沟道增强型MOSFET 低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色” 设备（附注1及2）
额定电压DC 60.0 V
额定电流 250 mA
通道数 1
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 250 mA
输入电容Ciss 50pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BS870-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
BS870-7-F 美台 | 类似代替 | BS870-7和BS870-7-F的区别 |
BS870 美台 | 功能相似 | BS870-7和BS870的区别 |