BSS8402DW-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSS8402DW-7概述

Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363

得捷:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

BSS8402DW-7中文资料参数规格

技术参数

额定电流 115 mA

漏源极电阻 3.20 Ω, 10.0 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 60V, 50V

漏源击穿电压 ±70.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA, -130 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSS8402DW-7

型号： BSS8402DW-7

描述：Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

替代型号BSS8402DW-7