BFS17NTA

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BFS17NTA概述

BFS17N 系列 11 V 50 mA NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3

Compared to other transistors, the RF bi-polar junction transistor, developed by Zetex, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This product"s minimum DC current gain is 56@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.5@5mA@25mA V. This RF transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

BFS17NTA中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 11 V

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 10V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.98 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFS17NTA
型号: BFS17NTA
制造商: Diodes 美台
描述:BFS17N 系列 11 V 50 mA NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3
替代型号BFS17NTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BFS17NTA

Diodes 美台

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美台

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