BSS138-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSS138-7概述

N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.5Ω/Ohm @220mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 描述与应用| N沟道增强型场效应低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏

BSS138-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 200 mA

通道数 1

漏源极电阻 1.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

输入电容 50.0 pF

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

输入电容Ciss 50pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BSS138-7引脚图与封装图

在线购买BSS138-7

型号： BSS138-7

制造商： Diodes 美台

描述：N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏

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替代型号BSS138-7

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