DIODES INC. BC857BT-7-F 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE
Design various electronic circuits with this versatile PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523-3
封装 SOT-523-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 国防, 电源管理, 工业, 军用与航空
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC857BT-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
BC857BT-7 美台 | 完全替代 | BC857BT-7-F和BC857BT-7的区别 |