BSS8402DW-7-F

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BSS8402DW-7-F概述

BSS8402DW 系列 60 V 13.5 Ohm N和P 沟道 增强模式 MosFet - SOT-363

Dual N & P-Channel 60 V 13.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 50V 60V 130mA 115mA


得捷:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Allied Electronics:
MOSFET N/P-Ch 60V/50V 115mA/130mA SOT363


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-50V; 0.115/-0.13A; 0.2W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Newark:
# DIODES INC.  BSS8402DW-7-F  Dual MOSFET, N and P Channel, 800 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**N+P CHAN.FET 60/-50V SOT363 **


Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6


DeviceMart:
MOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6


BSS8402DW-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电流 115 mA

额定功率 0.2 W

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 13.5 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60V, 50V

连续漏极电流Ids 130 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSS8402DW-7-F
型号: BSS8402DW-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:BSS8402DW 系列 60 V 13.5 Ohm N和P 沟道 增强模式 MosFet - SOT-363
替代型号BSS8402DW-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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