BSS8402DW 系列 60 V 13.5 Ohm N和P 沟道 增强模式 MosFet - SOT-363
Dual N & P-Channel 60 V 13.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 50V 60V 130mA 115mA
得捷:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Allied Electronics:
MOSFET N/P-Ch 60V/50V 115mA/130mA SOT363
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-50V; 0.115/-0.13A; 0.2W
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Newark:
# DIODES INC. BSS8402DW-7-F Dual MOSFET, N and P Channel, 800 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
儒卓力:
**N+P CHAN.FET 60/-50V SOT363 **
Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
DeviceMart:
MOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6
额定电流 115 mA
额定功率 0.2 W
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 13.5 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60V, 50V
连续漏极电流Ids 130 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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