BCX56TA

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BCX56TA概述

Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 150MHz 表面贴装型 SOT-89-3


得捷:
TRANS NPN 80V 1A SOT89-3


立创商城:
NPN 80V 1A


艾睿:
Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This NPN BCX56TA general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, is your solution. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4Pin SOT223


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


DeviceMart:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin, SOT-89


Win Source:
TRANS NPN 80V 1A SOT89


BCX56TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCX56TA
型号: BCX56TA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R
替代型号BCX56TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCX56TA

Diodes 美台

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