BC807-16-7-F

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BC807-16-7-F概述

BC807-16-7-F 编带

Thanks to Zetex, your circuit can handle high levels of voltage using the PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 310 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

BC807-16-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 310 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.98 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BC807-16-7-F引脚图与封装图
BC807-16-7-F引脚图
BC807-16-7-F封装图
BC807-16-7-F封装焊盘图
在线购买BC807-16-7-F
型号: BC807-16-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:BC807-16-7-F 编带
替代型号BC807-16-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC807-16-7-F

Diodes 美台

当前型号

当前型号

BC807-16-7

美台

完全替代

BC807-16-7-F和BC807-16-7的区别

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美台

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