C2012JB1H475K125AB参数规格_中文资料_数据手册PDF

C2012JB1H475K125AB概述

0805 4.7uF ±10% 50V -B

4.7 µF ±10% 50V 陶瓷器 JB 0805（2012 公制）

得捷:
CAP CER 4.7UF 50V JB 0805

立创商城:
4.7uF ±10% 50V

艾睿:
Cap Ceramic 4.7uF 50V JB 10% SMD 0805 85°C T/R

安富利:
Cap Ceramic 4.7uF 50V JB 10% SMD 0805 85°C Blister Plastic T/R

Chip1Stop:
Cap Ceramic 4.7uF 50V JB 10% SMD 2.0 x 1.2 mm 85 C Plastic T/R

Verical:
Cap Ceramic 4.7uF 50V JB 10% Pad SMD 0805 85C Low ESR T/R

C2012JB1H475K125AB中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 4.7 µF

容差 ±10 %

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 1.25 mm

物理参数

材质 -B/-25℃~+85℃

介质材料 Ceramic Multilayer

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

制造应用通用, Commercial Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

C2012JB1H475K125AB引脚图与封装图

在线购买C2012JB1H475K125AB

型号： C2012JB1H475K125AB

制造商： TDK 东电化

描述：0805 4.7uF ±10% 50V -B

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替代型号C2012JB1H475K125AB

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
C2012JB1H475K125AB TDK 东电化	当前型号	当前型号
C2012JB1H475M125AB 东电化	类似代替	C2012JB1H475K125AB和C2012JB1H475M125AB的区别
C2012JB1C475K125AC 东电化	功能相似	C2012JB1H475K125AB和C2012JB1C475K125AC的区别
C2012JB1E475K125AB 东电化	功能相似	C2012JB1H475K125AB和C2012JB1E475K125AB的区别