P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.
针脚数 4
漏源极电阻 0.066 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 1.10 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 325pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 UFBGA-4
封装 UFBGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 停产
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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