CSD23201W10

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CSD23201W10概述

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.

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Ultra Low Qg and Qgd
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Small Footprint 1mm × 1mm
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Low Profile 0.62mm Height
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Pb Free
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Gate ESD Protection – 3kV
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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APPLICA ONS
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Battery Management
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Load Switch
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Battery Protection
CSD23201W10中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.066 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 1.10 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 325pF @6VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 UFBGA-4

外形尺寸

封装 UFBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 停产

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD23201W10引脚图与封装图
CSD23201W10引脚图
CSD23201W10封装图
CSD23201W10封装焊盘图
在线购买CSD23201W10
型号: CSD23201W10
制造商: TI 德州仪器
描述:P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD23201W10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD23201W10

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

CSD23202W10

德州仪器

功能相似

CSD23201W10和CSD23202W10的区别

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