P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.
极性 P-Channel
耗散功率 1.5W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.20 A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 270pF @10VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UFBGA-6
封装 UFBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 停产
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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