CSD25301W1015

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CSD25301W1015概述

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.

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Ultra Low Qg and Qgd
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Small Footprint
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Low Profile 0.62mm Height
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Pb Free
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package
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APPLICA ONS
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Battery Management
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Load Switch
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Battery Protection
CSD25301W1015中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.20 A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 270pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UFBGA-6

外形尺寸

封装 UFBGA-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 停产

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

CSD25301W1015引脚图与封装图
CSD25301W1015引脚图
CSD25301W1015封装图
CSD25301W1015封装焊盘图
在线购买CSD25301W1015
型号: CSD25301W1015
制造商: TI 德州仪器
描述:P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD25301W1015
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD25301W1015

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

CSD25304W1015

德州仪器

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CSD25301W1015和CSD25304W1015的区别

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