CSD25303W1015参数规格_中文资料_数据手册PDF

CSD25303W1015概述

P 通道 NexFET 功率 MOSFET

该器件设计用于在尽可能小的外形之中提供最低的导通电阻和栅极电荷、并在非常扁平的空间之内实现卓越的热特性。

.: 超低 Qg 和 Qgd

.: 小占板面积

.: 扁平（仅高 0.62mm）

.: 无铅

.: 符合 RoHS 标准

.: 无卤素

.: CSP 1 × 1.5 mm 晶圆级封装

.: 应用

.: 电池管理

.: 负载开关

.: 电池保护

CSD25303W1015中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3A

输入电容Ciss 435pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DSBGA-6

外形尺寸

长度 1.5 mm

宽度 1 mm

高度 0.625 mm

封装 DSBGA-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期停产

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CSD25303W1015引脚图与封装图

在线购买CSD25303W1015

型号： CSD25303W1015

制造商： TI 德州仪器

描述：P 通道 NexFET 功率 MOSFET

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