P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
表面贴装型 P 通道 4A（Ta） 1.5W（Ta） 9-DSBGA
得捷:
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
贸泽:
MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin Wafer T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin Wafer T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin Wafer T/R
通道数 1
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 510pF @10VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 DSBGA-9
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
高度 0.62 mm
封装 DSBGA-9
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 停产
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD25201W15 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD25202W15 德州仪器 | 类似代替 | CSD25201W15和CSD25202W15的区别 |
CSD25211W1015 德州仪器 | 功能相似 | CSD25201W15和CSD25211W1015的区别 |