CBR04C209B1GAC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CBR04C209B1GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

2 pF ±0.1pF 100V 陶瓷器 C0G，NP0 0402（1005 公制）

立创商城:
2pF ±0.1pF 100V

得捷:
CAP CER 2PF 100V C0G/NP0 0402

e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

艾睿:
Cap Ceramic 2pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C Low ESR Medical T/R

Verical:
Cap Ceramic 2pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125C Low ESR Medical T/R

CBR04C209B1GAC中文资料参数规格

技术参数

电容 2 PF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR04C209B1GAC引脚图与封装图

在线购买CBR04C209B1GAC

型号： CBR04C209B1GAC

描述：射频电容, C0G / NP0, 2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

替代型号CBR04C209B1GAC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CBR04C209B1GAC KEMET Corporation 基美	当前型号	当前型号
CBR04C209A1GAC 基美	类似代替	CBR04C209B1GAC和CBR04C209A1GAC的区别
ECD-G0E2R0B 松下	功能相似	CBR04C209B1GAC和ECD-G0E2R0B的区别
GRM1555C2A2R0BA01W 村田	功能相似	CBR04C209B1GAC和GRM1555C2A2R0BA01W的区别