CIG21W1R0MNE

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CIG21W1R0MNE概述

CIG 系列 2012 1.0 uH 20 % 1.05 A SMD 屏蔽 功率电感

贴片 0805 1UH ±20%


得捷:
FIXED IND 1UH 1.05A 133 MOHM SMD


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 130mOhm DCR 0805 T/R


安富利:
POWER INDUCTOR, NORMAL, 0805INCH, 20%, 7" EMBOSSED TYPE


富昌:
CIG 系列 2012 1.0 uH 20 % 1.05 A SMD 屏蔽 功率电感


Win Source:
1μH Shielded Multilayer Inductor 1.05A 133 mOhm 0805 2012 Metric


CIG21W1R0MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.05 A

容差 ±25 %

电感 1 μH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 133 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CIG21W1R0MNE引脚图与封装图
CIG21W1R0MNE引脚图
CIG21W1R0MNE封装图
CIG21W1R0MNE封装焊盘图
在线购买CIG21W1R0MNE
型号: CIG21W1R0MNE
制造商: Samsung 三星
描述:CIG 系列 2012 1.0 uH 20 % 1.05 A SMD 屏蔽 功率电感

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