CIG22L1R2MNE

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CIG22L1R2MNE概述

1008 1.2uH ±20%

1.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 65mOhm 1008 2520 Metric


得捷:
FIXED IND 1.2UH 1.5A 65 MOHM SMD


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 65mOhm DCR 1008 T/R


安富利:
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 1008 Embossed T/R


CIG22L1R2MNE中文资料参数规格
技术参数

电感 1.2 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

封装 1008

外形尺寸

高度 1 mm

封装 1008

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CIG22L1R2MNE
型号: CIG22L1R2MNE
制造商: Samsung 三星
描述:1008 1.2uH ±20%

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