CIG22B1R0MNE

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CIG22B1R0MNE概述

1008 1uH ±20%

1µH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 125mOhm 1008 2520 Metric


得捷:
FIXED IND 1UH 1.2A 125 MOHM SMD


艾睿:
Use this power chip CIG22B1R0MNE surface mount inductor from Samsung Electro-Mechanics to make any circuit look clean and compact. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has an inductance of 1u H. It has a tolerance of 20%. This SMD inductor has a maximum DC current of 1.2 A with a maximum resistance of 120mTyp Ohm. This device is made with multi-layer technology. This product is 2.7 mm long, 1 mm tall and 2.2 mm deep. Its test frequency is 1M Hz.


安富利:
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 1008 Embossed T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 0.12Ohm DCR 1008 T/R


CIG22B1R0MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.2 A

容差 ±20 %

电感 1 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 125 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

高度 1 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CIG22B1R0MNE引脚图与封装图
CIG22B1R0MNE引脚图
CIG22B1R0MNE封装图
CIG22B1R0MNE封装焊盘图
在线购买CIG22B1R0MNE
型号: CIG22B1R0MNE
制造商: Samsung 三星
描述:1008 1uH ±20%
替代型号CIG22B1R0MNE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CIG22B1R0MNE

Samsung 三星

当前型号

当前型号

MLP2520S1R0M T

东电化

功能相似

CIG22B1R0MNE和MLP2520S1R0M T的区别

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