CMG02TE12L,Q

CMG02TE12L,Q中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @2A

热阻 16℃/W RθJL

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-128

外形尺寸

封装 SOD-128

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CMG02TE12L,Q
型号: CMG02TE12L,Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT

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