CSD17382F4T

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CSD17382F4T概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17382F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV 新

表面贴装型 N 通道 30 V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR


得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR


欧时:
Trans MOSFET N-CH, CSD17382F4T


立创商城:
CSD17382F4T


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection


贸泽:
MOSFET 30V, N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PICOSTAR T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PICOSTAR T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17382F4T  MOSFET, N-CH, 30V, 2.3A, LGA-3


CSD17382F4T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 111 ns

输入电容Ciss 347pF @15VVds

下降时间 270 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.64 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD17382F4T引脚图与封装图
CSD17382F4T引脚图
CSD17382F4T封装图
CSD17382F4T封装焊盘图
在线购买CSD17382F4T
型号: CSD17382F4T
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD17382F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV 新

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