



TEXAS INSTRUMENTS CSD17382F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV 新
表面贴装型 N 通道 30 V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
欧时:
Trans MOSFET N-CH, CSD17382F4T
立创商城:
CSD17382F4T
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection
贸泽:
MOSFET 30V, N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PICOSTAR T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PICOSTAR T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17382F4T MOSFET, N-CH, 30V, 2.3A, LGA-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 900 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 111 ns
输入电容Ciss 347pF @15VVds
下降时间 270 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99


