TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV 新
P-Channel 12V 500mW Ta Surface Mount
得捷:
MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
欧时:
Trans MOSFET P-CH, CSD23280F3T
立创商城:
P沟道 12V 1.8A
德州仪器TI:
-12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection
贸泽:
MOSFET A 595-CSD23280F3
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV 新
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PicoStar T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PicoStar T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T MOSFET, P-CH, -12V, -1.8A, LGA-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.097 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 1.8A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 234pF @6VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 0.73 mm
宽度 0.64 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD23280F3T TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD23280F3 德州仪器 | 类似代替 | CSD23280F3T和CSD23280F3的区别 |