N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 20~100ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| 2~6v 耗散功率PdPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier • This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 51 描述与应用| N沟道低频率的低噪声 扩音器 •本设备是专为低功耗斩波器或切换应用程序 来源于过程51
欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
BSR57 Series 40 mA 50 mA N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier - SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
额定电压DC 40.0 V
额定电流 20.0 mA
漏源极电阻 40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 mA
击穿电压 40 V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BSR57 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBF4393,215 恩智浦 | 功能相似 | BSR57和PMBF4393,215的区别 |
PMBF4391,215 恩智浦 | 功能相似 | BSR57和PMBF4391,215的区别 |