BSR57

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BSR57概述

N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 20~100ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| 2~6v 耗散功率PdPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier • This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 51 描述与应用| N沟道低频率的低噪声 扩音器 •本设备是专为低功耗斩波器或切换应用程序 来源于过程51


欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
BSR57 Series 40 mA 50 mA N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23


BSR57中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 20.0 mA

漏源极电阻 40 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 40.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 mA

击穿电压 40 V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.97 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSR57
型号: BSR57
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号BSR57
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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