NXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV
The is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a Surface Mounted Device SMD plastic package using Trench MOSFET technology.
得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
e络盟:
NXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
P-Channel 20 V 76 mΩ 1.92 W 7.7 nC SMT TrenchMOS Low Level FET -SOT-23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.058 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 833 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -3.90 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 744pF @20VVds
额定功率Max 1.92 W
下降时间 68 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Signal Processing, 电源管理, 音频, Audio, 信号处理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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