QSE114中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V
额定电压DC 30.0 V
工作电压 5.00 V
输出电压 ≤30.0 V
击穿电压 30.0 V
通道数 1
针脚数 2
波长 880 nm
视角 25°
峰值波长 880 nm
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
上升时间 8 µs
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 8 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Side Looking
外形尺寸
长度 4.44 mm
宽度 2.54 mm
高度 5.08 mm
封装 Side Looking
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买QSE114
替代型号QSE114
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
QSE114 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |