INFINEON SPD07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 PG-TO252-3
得捷:
LOW POWER_LEGACY
立创商城:
N沟道 600V 7.3A
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON SPD07N60C3ATMA1 Power MOSFET, N Channel, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
LOW POWER_LEGACY
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
输入电容 790 pF
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management, 通信与网络, Communications & Networking, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD07N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHD7N60E-GE3 威世 | 功能相似 | SPD07N60C3ATMA1和SIHD7N60E-GE3的区别 |